STGW40M120DF3, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.85 В, 468 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
1 120 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
Полное описание
The STGW40M120DF3 is a Trench gate field-stop IGBT developed using an advanced proprietary Trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBT, which represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
• Tight parameters distribution
• Safer paralleling
• Low thermal resistance
• Soft and fast recovery anti-parallel diode
• 10µs Short-circuit withstand time
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | to-247 |
| Рассеиваемая Мощность | 468Вт |
| DC Ток Коллектора | 80А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
| Вес, г | 2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...