STGP5H60DF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.5 В, 88 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
STGP5H60DF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.5 В, 88 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

STGP5H60DF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.5 В, 88 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

картинка STGP5H60DF, БТИЗ транзистор, 10 А, 1.5 В, 88 Вт, 600 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
120 руб.
Производитель
ST Microelectronics
Заказать
Полное описание
IGBT Discretes, STMicroelectronics

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура175 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер600в
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Рассеиваемая Мощность88Вт
DC Ток Коллектора10а
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.5В
Maximum Operating Temperature+175 C
Length10.4mm
Transistor ConfigurationSingle
BrandSTMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Maximum Continuous Collector Current10 A
Package TypeTO-220
Maximum Power Dissipation88 W
Energy Rating221J
Mounting TypeThrough Hole
Minimum Operating Temperature-55 C
Width4.6mm
Height15.75mm
Pin Count3
Dimensions10.4 x 4.6 x 15.75mm
Maximum Gate Emitter Voltage20V
Channel TypeN
Gate Capacitance855pF
Вес, г2.3
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...