STGW30NC120HD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.75 В, 220 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
390 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
Полное описание
The STGW30NC120HD is a N-channel very fast PowerMESH™ IGBT for use with induction heating and soft switching application. Using the latest high voltage technology based on its patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, with outstanding performances. The suffix H identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching performances (reduced tfall) maintaining a low voltage drop.
• Low on-losses
• Low on-voltage drop (Vcesat)
• High current capability
• High input impedance (voltage driven)
• Low gate charge
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Стиль Корпуса Транзистора | to-247 |
Рассеиваемая Мощность | 220Вт |
DC Ток Коллектора | 60А |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.75В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Длина | 15.75мм |
Transistor Configuration | Одиночный |
Производитель | STMicroelectronics |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 60 A |
Тип корпуса | TO-247 |
Максимальное рассеяние мощности | 220 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Ширина | 5.15мм |
Высота | 20.15мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 15.75 x 5.15 x 20.15мм |
Скорость переключения | 1МГц |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 25V |
Тип канала | N |
Вес, г | 5.42 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...