STGB10M65DF2, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263, 3 вывод(-ов)
310 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
Полное описание
IGBT Discretes, STMicroelectronicsПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263 |
Рассеиваемая Мощность | 115Вт |
DC Ток Коллектора | 20А |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Length | 10.4mm |
Transistor Configuration | Single |
Brand | STMicroelectronics |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
Package Type | D2PAK (TO-263) |
Maximum Power Dissipation | 115 W |
Energy Rating | 0.66mJ |
Mounting Type | Surface Mount |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Width | 9.35mm |
Height | 4.6mm |
Pin Count | 3 |
Dimensions | 10.4 x 9.35 x 4.6mm |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Channel Type | N |
Gate Capacitance | 840pF |
Вес, г | 2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...