IHW30N135R3FKSA1, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.65 В, 349 Вт, 1.35 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
IHW30N135R3FKSA1, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.65 В, 349 Вт, 1.35 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

IHW30N135R3FKSA1, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.65 В, 349 Вт, 1.35 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

картинка IHW30N135R3FKSA1, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.65 В, 349 Вт, 1.35 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
280 руб.
Производитель
Infineon Technologies
Заказать
Полное описание

The IHW30N135R3 is a Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode. The 3rd generation of reverse conducting IGBT has been optimized for lower switching and conduction losses. Reduced power dissipation together with soft switching behaviour allows better thermal performance and EMI behaviour resulting in lower system costs. It features powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only. It is suitable for rice cookers and other soft switching applications.

• Excellent performance
• Best-in-class conduction properties in VCE(sat) and Vf
• Lowest switching losses, highest efficiency
• Soft current turn-OFF waveforms for low EMI
• Lowest power dissipation
• Better thermal management
• Surge current capability
• Lower EMI filtering requirements
• Excellent quality
• Highest reliability against peak current
• Very tight parameter distribution
• High ruggedness, temperature stable behaviour
• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
• Green product
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура175 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.35кВ
Стиль Корпуса Транзистораto-247
Рассеиваемая Мощность349Вт
DC Ток Коллектора60А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)1.65В
Вес, г4.43
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...