IKD10N60RATMA1, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.65 В, 150 Вт, 600 В, TO-252, 3 вывод(-ов)
150 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600в |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| DC Ток Коллектора | 20А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.65В |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | 20 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.65 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 20 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Minimum Operating Temperature (C) | -40 |
| Maximum Operating Temperature (C) | 175 |
| Automotive | Yes |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | DPAK |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 2.41(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Package Width | 6.22(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| Вес, г | 0.1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...