STGWT60H60DLFB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 375 Вт, 600 В, TO-3P, 3 вывод(-ов)
540 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600в |
| Стиль Корпуса Транзистора | to-3p |
| Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
| DC Ток Коллектора | 80А |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.6В |
| Максимальная рабочая температура | +175 C |
| Длина | 15.8мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 A |
| Тип корпуса | TO-3P |
| Максимальное рассеяние мощности | 375 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 5мм |
| Высота | 20.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...