IKD10N60RATMA1, БТИЗ транзистор, 20 А, 1.65 В, 150 Вт, 600 В, TO-252, 3 вывод(-ов)
150 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Полное описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600в |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
DC Ток Коллектора | 20А |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.65В |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | 20 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.65 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 20 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
Minimum Operating Temperature (C) | -40 |
Maximum Operating Temperature (C) | 175 |
Automotive | Yes |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | DPAK |
Standard Package Name | TO-252 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 2.41(Max) |
Package Length | 6.73(Max) |
Package Width | 6.22(Max) |
PCB changed | 2 |
Tab | Tab |
Вес, г | 0.1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...