2STN1360, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 60 В, 130 МГц, 1.6 Вт, 3 А, 280 hFE
44 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
Полное описание
The 2STN1360 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using new low voltage Planar technology with double metal process. The result is a transistor which boasts exceptionally high gain performance coupled with very low saturation voltage.
• Very low collector-emitter saturation voltage
• High current gain characteristic
• Fast-switching speed
• PNP complement is 2STN2360
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 60В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 3А |
DC Усиление Тока hFE | 280hFE |
Частота Перехода ft | 130МГц |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальная рабочая частота | 130 МГц |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,2 В |
Длина | 6.5мм |
Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
Transistor Configuration | Одинарный |
Производитель | STMicroelectronics |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
Тип корпуса | SOT-223 |
Максимальное рассеяние мощности | 1,6 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -65 C |
Ширина | 3.5мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1.8мм |
Число контактов | 3 + Tab |
Размеры | 1.8 x 6.5 x 3.5мм |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
Вес, г | 4.536 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...