2SD1624T-TD-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 150 МГц, 1.5 Вт, 3 А, 200 hFE

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
2SD1624T-TD-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 150 МГц, 1.5 Вт, 3 А, 200 hFE

2SD1624T-TD-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 150 МГц, 1.5 Вт, 3 А, 200 hFE

картинка 2SD1624T-TD-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 150 МГц, 1.5 Вт, 3 А, 200 hFE
67 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер50в
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-89
Рассеиваемая Мощность1.5Вт
Полярность Транзистораnpn
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE200hFE
Частота Перехода ft150МГц
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0,5 В
Максимальная рабочая температура+150 C
Максимальная рабочая частота150 MHz
Количество элементов на ИС1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1,2 В
Длина4.5мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Максимальное напряжение коллектор-база60 В
ПроизводительON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)50 В
Тип корпусаКонтакт
Максимальное рассеяние мощности1,5 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина2.5мм
Максимальный пост. ток коллектора3 A
Тип транзистораNPN-NO/NC
Высота1.5мм
Число контактов3
Максимальное напряжение эмиттер-база6 В
Размеры4.5 x 2.5 x 1.5мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току35
Вес, г0.106
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...