2SD1624T-TD-E, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 150 МГц, 1.5 Вт, 3 А, 200 hFE
67 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50в |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 3А |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Частота Перехода ft | 150МГц |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальная рабочая частота | 150 MHz |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,2 В |
Длина | 4.5мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Максимальное напряжение коллектор-база | 60 В |
Производитель | ON Semiconductor |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 В |
Тип корпуса | Контакт |
Максимальное рассеяние мощности | 1,5 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 2.5мм |
Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
Тип транзистора | NPN-NO/NC |
Высота | 1.5мм |
Число контактов | 3 |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
Размеры | 4.5 x 2.5 x 1.5мм |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
Вес, г | 0.106 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...