2SD1628G-TD-E, Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 120 МГц, 500 мВт, 5 А, 280 hFE
66 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON SemiconductorПолупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Рассеиваемая Мощность | 500мВт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 5а |
| DC Усиление Тока hFE | 280hFE |
| Частота Перехода ft | 120МГц |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -500 мВ |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 120 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,5 В |
| Длина | 4.5мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 60 В |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 20 V |
| Тип корпуса | Контакт |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 2.5мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 5 A |
| Тип транзистора | NPN-NO/NC |
| Высота | 1.5мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 4.5 x 2.5 x 1.5мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 95 |
| Вес, г | 1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...