BSS84LT1G, МОП-транзистор, P Канал, 130 мА, -50 В, 10 Ом, 5 В, -2 В

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BSS84LT1G, МОП-транзистор, P Канал, 130 мА, -50 В, 10 Ом, 5 В, -2 В

BSS84LT1G, МОП-транзистор, P Канал, 130 мА, -50 В, 10 Ом, 5 В, -2 В

картинка BSS84LT1G, МОП-транзистор, P Канал, 130 мА, -50 В, 10 Ом, 5 В, -2 В
27 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The BSS84LT1G is a P-channel Power MOSFET qualified to AEC Q101 and PPAP capable. It is suitable for DC-DC converters and load switching applications.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистораsot-23
Рассеиваемая Мощность225мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Напряжение Истока-стока Vds-50В
Непрерывный Ток Стока130мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)10Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs-2В
Максимальная рабочая температура+150 C
Максимальный непрерывный ток стока130 мА
Тип корпусаSOT-23
Максимальное рассеяние мощности225 мВт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина1.3мм
Высота0.94мм
Размеры2.9 x 1.3 x 0.94мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Длина2.9мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения2,5 нс
ПроизводительON Semiconductor
Типичное время задержки выключения16 ns
Минимальная рабочая температура-55 C
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Максимальное сопротивление сток-исток10 ?
Максимальное напряжение сток-исток50 В
Число контактов3
КатегорияМощный МОП-транзистор
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds30 пФ при 5 В
Тип каналаA, P
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Вес, г0.032
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...