BSS84LT1G, МОП-транзистор, P Канал, 130 мА, -50 В, 10 Ом, 5 В, -2 В
27 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The BSS84LT1G is a P-channel Power MOSFET qualified to AEC Q101 and PPAP capable. It is suitable for DC-DC converters and load switching applications.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
Полярность Транзистора | P Канал |
Напряжение Истока-стока Vds | -50В |
Непрерывный Ток Стока | 130мА |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 10Ом |
Напряжение Измерения Rds(on) | 5в |
Пороговое Напряжение Vgs | -2В |
Максимальная рабочая температура | +150 C |
Максимальный непрерывный ток стока | 130 мА |
Тип корпуса | SOT-23 |
Максимальное рассеяние мощности | 225 мВт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 1.3мм |
Высота | 0.94мм |
Размеры | 2.9 x 1.3 x 0.94мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 2.9мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 2,5 нс |
Производитель | ON Semiconductor |
Типичное время задержки выключения | 16 ns |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 10 ? |
Максимальное напряжение сток-исток | 50 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 30 пФ при 5 В |
Тип канала | A, P |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.032 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...