NTHD4508NT1G, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.1 А, 20 В, 0.06 Ом, 4.5 В, 1.2 В
52 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The NTHD4508NT1G is a ChipFET™ dual N-channel Power MOSFET designed for battery and low side switching in portable equipment such as MP3 players, cell phones, DSCs and PDAs. It is suitable for DC-to-DC buck/boost converter and level shifting applications.
• Low RDS (ON) and fast switching
• Excellent thermal capabilities where heat transfer is required
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | ChipFET |
| Рассеиваемая Мощность | 2.1Вт |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 4.1А |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.06Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3.1mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.1 A |
| Package Type | ChipFET |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Width | 1.7mm |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Height | 1.1mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 115 m? |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Pin Count | 8 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Вес, г | 0.005 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...