BC846BDW1T1G, Массив биполярных транзисторов, универсальный, Двойной NPN, 65 В, 380 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363
19 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The BC846BDW1T1G is a NPN dual Transistor, designed for general purpose amplifier applications. Ideal for low power surface mount applications.
• AEC-Q101 Qualified
• PPAP capable
• Halogen-free
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 65В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Рассеиваемая Мощность | 380мВт |
| Полярность Транзистора | Двойной NPN |
| DC Ток Коллектора | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
| Длина | 2мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 65 V |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Максимальное рассеяние мощности | 380 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.25мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 0.9мм |
| Число контактов | 6 |
| Размеры | 0.9 x 2 x 1.25мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Вес, г | 0.006 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...