MMBD301LT1G, РЧ диод Шоттки, барьер, Одиночный, 30 В, 200 мА, 450 мВ, 0.9 пФ, SOT-23
24 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MMBD301LT1G is a Silicon Hot-carrier Detector and Switching Diode designed primarily for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications.
• 15ps Extremely low minority carrier lifetime
• 1.5pF at VR=15V Maximum very low capacitance
• 13nA DC Low reverse leakage IR
• -55 to 125°C Operating junction temperature range
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки
Технические параметры
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Обратное Напряжение Vr | 30В |
| Максимальный Прямой Ток | 200ма |
| Стиль Корпуса Диода | sot-23 |
| Максимальное Прямое Напряжение | 450мВ |
| Конфигурация Диода | Одиночный |
| Емкость Ct | 0.9пФ |
| Линейка Продукции | MMBD3 Series |
| Diode Configuration | Одинарный |
| Максимальная рабочая температура | +125 C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 3.04мм |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальный непрерывный прямой ток | 10mA |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.4мм |
| Высота | 1.01мм |
| Maximum Forward Voltage Drop | 450мВ |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 3.04 x 1.4 x 1.01мм |
| Пиковый обратный ток | 200нА |
| Тип диода | Диод Шоттки |
| Пиковое обратное повторяющееся напряжение | 30V |
| Diode Technology | Диод Шоттки |
| Вес, г | 0.033 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...