MMSD301T1G, РЧ диод Шоттки, барьер, Одиночный, 30 В, 200 мА, 600 мВ, 0.9 пФ, SOD-123
30 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MMSD301T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
• Extremely low minority carrier lifetime
• Very low capacitance
• Low reverse leakage
• -55 to 125°C Operating junction temperature range
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки
Технические параметры
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Обратное Напряжение Vr | 30В |
| Максимальный Прямой Ток | 200ма |
| Стиль Корпуса Диода | SOD-123 |
| Максимальное Прямое Напряжение | 600мВ |
| Конфигурация Диода | Одиночный |
| Емкость Ct | 0.9пФ |
| Линейка Продукции | MMSD3 Series |
| Diode Configuration | Одинарный |
| Максимальная рабочая температура | +125 C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 2.84мм |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип корпуса | SOD-123 |
| Максимальный непрерывный прямой ток | 200mA |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Ширина | 1.8мм |
| Высота | 1.25мм |
| Maximum Forward Voltage Drop | 600мВ |
| Число контактов | 2 |
| Размеры | 2.84 x 1.8 x 1.25мм |
| Пиковый обратный ток | 200нА |
| Тип диода | Диод Шоттки |
| Пиковое обратное повторяющееся напряжение | 30V |
| Diode Technology | Диод Шоттки |
| Вес, г | 0.01 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...