IDDD04G65C6XTMA1, Карбидокремниевый диод Шоттки, CoolSiC 6G 650V Series, Одиночный, 650 В, 13 А, 6.9 нКл, HDSOP
250 руб.
- Производитель
- Infineon Technologies
Полное описание
The CoolSiC™ generation G6 is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes. The G6 is an advancement of Infineon's G5 technology with the introduction of a novel Schottky metal system. The CoolSiC™ Schottky diode G6 has been designed to complement our 600V and 650V CoolMOS™ 7 families, meeting the most stringent application requirements in this voltage range. Offering key benefits such as System cost and size savings due to the reduced cooling requirements as well as enabling higher frequency and increased power density.
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки
Технические параметры
| Количество Выводов | 10 Выводов |
| Стиль Корпуса Диода | HDSOP |
| Максимальное Значение Напряжения Vrrm | 650В |
| Конфигурация Диода | Одиночный |
| Постоянный Прямой Ток If | 13А |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 6.9нКл |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175 C |
| Вес, г | 0.5 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...