FFSB3065B-F085, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 30 А, 74 нКл, TO-263

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
FFSB3065B-F085, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 30 А, 74 нКл, TO-263

FFSB3065B-F085, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 30 А, 74 нКл, TO-263

картинка FFSB3065B-F085, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 30 А, 74 нКл, TO-263
690 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

• Max Junction Temperature 175°C
• AEC-Q101 qualified
• Avalanche Rated 200 mJ
• No Reverse Recovery/No Forward Recovery
• Ease of Paralleling
• High Surge Current Capacity
• Positive Temperature Coefficient

Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки



Технические параметры

Количество Выводов3 Вывода
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Стиль Корпуса ДиодаTO-263
Максимальное Значение Напряжения Vrrm650В
Конфигурация ДиодаОдиночный
Постоянный Прямой Ток If30а
Полный Емкостной Заряд Qc74нКл
Максимальная Температура Перехода Tj175 C
Вес, г0.4
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...