FFSH3065A, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 30 А, 100 нКл, TO-247
1 080 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
• Max Junction Temperature 175°C
• AEC-Q101 qualified
• Avalanche Rated 200 mJ
• No Reverse Recovery/No Forward Recovery
• Ease of Paralleling
• High Surge Current Capacity
• Positive Temperature Coefficient
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки
Технические параметры
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Стиль Корпуса Диода | to-247 |
| Максимальное Значение Напряжения Vrrm | 650В |
| Конфигурация Диода | Одиночный |
| Постоянный Прямой Ток If | 30а |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 100нКл |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175 C |
| Максимальная рабочая температура | +175 C |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальный непрерывный прямой ток | 30A |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.82мм |
| Высота | 20.82мм |
| Размеры | 15.87 x 4.82 x 20.82мм |
| Тип диода | Диод Шоттки из карбида кремния (SiC) |
| Diode Technology | Диод Шоттки |
| Diode Configuration | Одинарный |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 15.87мм |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Число контактов | 2 |
| Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки | 1.125kA |
| Рассеиваемая мощность | 259W |
| Пиковый обратный ток | 600мкА |
| Пиковое обратное повторяющееся напряжение | 650V |
| Вес, г | 0.1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...