INA111AUE4, Измерительный усилитель, 1 Усилитель, 1 мВ, 17 В/мкс, 2 МГц, 6В до 18В, SOIC

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
INA111AUE4, Измерительный усилитель, 1 Усилитель, 1 мВ, 17 В/мкс, 2 МГц, 6В до 18В, SOIC

INA111AUE4, Измерительный усилитель, 1 Усилитель, 1 мВ, 17 В/мкс, 2 МГц, 6В до 18В, SOIC

картинка INA111AUE4, Измерительный усилитель, 1 Усилитель, 1 мВ, 17 В/мкс, 2 МГц, 6В до 18В, SOIC
1 040 руб.
Производитель
Texas Instruments
Заказать
Полное описание

The INA111AUE4 is a high speed FET-input Instrumentation Amplifier uses a current-feedback topology providing extended bandwidth (2MHz at G=10) and fast settling time (4us to 0.01% at G=100). A single external resistor sets any gain from 1 to over 1000. Offset voltage and drift are laser trimmed for excellent DC accuracy. The amplifier's FET inputs reduce input bias current to under 20pA, simplifying input filtering and limiting circuitry.

• 20pA Maximum FET input
• 5µV/°C Maximum low offset voltage drift
• Green product and no Sb/Br

Полупроводники - Микросхемы\Усилители и Компараторы\Инструментальные Усилители



Технические параметры

Минимальная Рабочая Температура-40 C
Максимальная Рабочая Температура85 C
Количество Выводов16вывод(-ов)
Полоса Пропускания2МГц
Диапазон Напряжения Питания 6В до 18В
Стиль Корпуса УсилителяSOIC
Скорость нарастания17В/мкс
Количество Усилителей1 Усилитель
Напряжение Входного Смещения1мВ
Коэффициент Подавления Синфазного Сигнала115дБ
Выход УсилителяНесимметричный
Вес, г1.933
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...