MMG20271H9T1, РЧ усилитель, pHEMT режима обогащения, 1500МГц до 2700МГц, 16дБ усиление, 1.8дБ шум, 5В, SOT-89-3

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
MMG20271H9T1, РЧ усилитель, pHEMT режима обогащения, 1500МГц до 2700МГц, 16дБ усиление, 1.8дБ шум, 5В, SOT-89-3

MMG20271H9T1, РЧ усилитель, pHEMT режима обогащения, 1500МГц до 2700МГц, 16дБ усиление, 1.8дБ шум, 5В, SOT-89-3

картинка MMG20271H9T1, РЧ усилитель, pHEMT режима обогащения, 1500МГц до 2700МГц, 16дБ усиление, 1.8дБ шум, 5В, SOT-89-3
990 руб.
Производитель
NXP Semiconductor
Заказать
Полное описание

The MMG20271H9T1 is a high dynamic range single-stage Low Noise Amplifier MMIC with high OIP3 and low noise figure, it can be utilized as a driver amplifier in the transmit chain and as a second-stage LNA in the receive chain. It is ideal for cellular, PCS, LTE, TD-SCDMA, W-CDMA base station, wireless LAN and other systems in the 1500 to 2700MHz frequency range.

• 27.5dBm at 2140MHz P1dB
• 16dB at 2140MHz Small-signal gain
• 43.1dBm at 2140MHz Third order output intercept point
• Class 2 HBM ESD Immunity
• 215mA Supply current
• 50R Operation (some external matching required)

Полупроводники - Микросхемы\РЧ\РЧ Усилители



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное Напряжение Питания
Количество Выводов3вывод(-ов)
Максимальная Частота2700МГц
Усиление16дБ
Минимальная Частота1500МГц
Типичное Значение Коэффициента Шума1.8дБ
Стиль Корпуса Радиочастотной МикросхемыSOT-89
Вес, г0.3
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...