BGU7007,115, Усилитель РЧ, 19.5дБ усиление/ 1.2дБ шум, 1.559ГГц до 1.61ГГц, 1.5В до 3.1В питание, XSON-6

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BGU7007,115, Усилитель РЧ, 19.5дБ усиление/ 1.2дБ шум, 1.559ГГц до 1.61ГГц, 1.5В до 3.1В питание, XSON-6

BGU7007,115, Усилитель РЧ, 19.5дБ усиление/ 1.2дБ шум, 1.559ГГц до 1.61ГГц, 1.5В до 3.1В питание, XSON-6

картинка BGU7007,115, Усилитель РЧ, 19.5дБ усиление/ 1.2дБ шум, 1.559ГГц до 1.61ГГц, 1.5В до 3.1В питание, XSON-6
58 руб.
Производитель
NXP Semiconductor
Заказать
Полное описание

The BGU7007.115 is a Low Noise Amplifier MMIC for GPS, GLONASS, Galileo and compass. The BGU7007 requires only one external matching inductor and one external decoupling capacitor. The BGU7007 adapts itself to the changing environment resulting from co-habitation of different radio systems in modern cellular handsets. It has been designed for low power consumption and optimal performance when jamming signals from co-existing cellular transmitters are present. At low jamming power levels it delivers 18.5dB gain at a noise figure of 0.85dB. During high jamming power levels, resulting for example from a cellular transmit burst, it temporarily increases its bias current to improve sensitivity.

• High 1dB compression point Pi (1dB) of -12dBm
• High out of band IP3i of 4dBm
• Power down mode current consumption <,1µA
• Optimized performance at low supply current of 4.8mA
• Integrated temperature stabilized bias for easy design
• Requires only one input matching inductor and one supply decoupling capacitor
• Input and output DC decoupled
• ESD protection on all pins (HBM >,2kV)
• Integrated matching for the output
• 110GHz transit frequency - SiGe: C technology

Полупроводники - Микросхемы\РЧ\РЧ Усилители



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное Напряжение Питания3.1В
Минимальное Напряжение Питания1.5В
Количество Выводов6вывод(-ов)
Максимальная Частота1.61ГГц
Усиление19.5дБ
Минимальная Частота1.559ГГц
Типичное Значение Коэффициента Шума1.2дБ
Стиль Корпуса Радиочастотной МикросхемыXSON
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8542.33.00.01
Manufacturer TypeLow Noise Amplifier
Product CategoryChip
Number of Channels per Chip1
Process TechnologySiGe
Maximum Operating Frequency (MHz)1610
Maximum Gain (dB)21.5@1610MHz
Typical Noise Figure (dB)1.3@1610MHz
Maximum Reverse Isolation (dB)24(Typ)@1610MHz
Maximum Input Return Loss (dB)10(Typ)@1610MHz
Maximum Output Return Loss (dB)24(Typ)@1610MHz
Minimum Single Supply Voltage (V)1.5
Maximum Single Supply Voltage (V)3.1
Maximum Supply Current (mA)15.9@1.8V
Power Supply TypeSingle
Maximum Power Dissipation (mW)55
Minimum Operating Temperature (C)-40
Maximum Operating Temperature (C)85
PackagingTape and Reel
Pin Count6
Supplier PackageXSON
MountingSurface Mount
Package Height0.46(Max)
Package Length1.45
Package Width1
PCB changed6
Lead ShapeNo Lead
Вес, г0.1
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...