ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop?reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.

Технические параметры

Материал	кремний
Максимальное постоянное обратное напряжение, В	30
Максимальное импульсное обратное напряжение, В	30
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А	1
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А	40
Максимальный обратный ток,мкА 25гр	1000
Максимальное прямое напряжение,В	0.38
при Iпр.,А	1
Рабочая температура,С	-55…150
Способ монтажа	smd
Корпус	sod123fl
Вес, г	0.05