PMEG2010AEB.115, Диод Шоттки 20В 1А [SOD-523]
5 руб.
- Производитель
- NXP Semiconductor
Полное описание
Schottky Barrier Diodes, 1A to 1.5A, NexperiaТехнические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 20 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 20 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 1 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 6 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 600 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 0.62 |
| при Iпр.,А | 1 |
| Общая емкость Сд,пФ | 25 |
| Рабочая температура,С | -65…150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | sod523 |
| Вес, г | 0.02 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...

![картинка PMEG2010AEB.115, Диод Шоттки 20В 1А [SOD-523] являющийся официальным дистрибьютором в России картинка PMEG2010AEB.115, Диод Шоттки 20В 1А [SOD-523]](/upload/iblock/ac3/ac30f844d6f498a9102eedf55d8e8d23.jpg)