BAS40-04.215, 2 диода Шоттки, 0.12А, 40В, последовательные [SOT-23]
![картинка BAS40-04.215, 2 диода Шоттки, 0.12А, 40В, последовательные [SOT-23]](/upload/iblock/481/481a60261169f1df9fdcdeb0c2b7555b.jpg "картинка BAS40-04.215, 2 диода Шоттки, 0.12А, 40В, последовательные [SOT-23] являющийся официальным дистрибьютором в России")
3 руб.
- Производитель
- NXP Semiconductor
Полное описание
Schottky Barrier Diodes, up to 120mA, NexperiaТехнические параметры
| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 40 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 40 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.12 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.2 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 10 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1 |
| при Iпр.,А | 0.04 |
| Общая емкость Сд,пФ | 5 |
| Рабочая температура,С | -65…150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | sot23 |
| Вес, г | 0.05 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...