BAS40-06
20 руб.
- Производитель
- NXP Semiconductor
Полное описание
Schottky Barrier Diodes, up to 120mA, NexperiaТехнические параметры
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 40 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.11 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.2 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.05 |
| при Iпр.,А | 0.04 |
| Рабочая температура,С | -65…150 |
| Корпус | sot23 |
| Материал | кремний |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...