VNN1NV04PTR-E, Драйвер FET-IGBT, N-канал, 40V 1.7A, [SOT-223]
![картинка VNN1NV04PTR-E, Драйвер FET-IGBT, N-канал, 40V 1.7A, [SOT-223]](/upload/iblock/f9f/f9fb487e7795f9b1628dcbf88679b092.jpg "картинка VNN1NV04PTR-E, Драйвер FET-IGBT, N-канал, 40V 1.7A, [SOT-223] являющийся официальным дистрибьютором в России")
91 руб.
- Производитель
- ST Microelectronics
Полное описание
The VNN1NV04PTR-E is a 45V Fully Auto Protected Power MOSFET designed in VIPower M0 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short-circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
• Compatible with standard power MOSFET
Технические параметры
| Тип | Общего Назначения |
| Серия | omnifet ii, vipower |
| Конфигурация | Low Side |
| Количество выходов | 1 |
| Соотношение - вход: выход | 1:1 |
| Тип выхода | n-канал |
| Напряжение нагрузки, В | 36(max) |
| Выходной ток (Max), А | 1.7 |
| Сопротивление канала Rds(on) (Typ), Ом | 0.25(max) |
| Интерфейс | on/off |
| Рабочая температура, C | -40…+150 |
| Корпус | SOT-223 |
| Вес, г | 0.85 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...