BAV103-GS18, Диод слабых сигналов, Переключающий, Одиночный, 250 В, 250 мА, 1 В, 50 нс, 1 А
18 руб.
- Производитель
- Vishay
Полное описание
The BAV103-GS18 is a silicon epitaxial planar high voltage Small Signal Switching Diode for general purpose applications.
• 200V Reverse voltage VR
• AEC-Q101 qualified
• 175°C Junction temperature
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Слабых Сигналов
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Диода | MiniMELF |
| Средний Прямой Ток | 250мА |
| Максимальное Прямое Напряжение | 1В |
| Максимальное Значение Напряжения Vrrm | 250в |
| Конфигурация Диода | Одиночный |
| Максимальное Время Обратного Восстановления | 50нс |
| Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm | 1а |
| Линейка Продукции | BAV10 Series |
| Diode Configuration | Одинарный |
| Максимальная рабочая температура | +175 C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 3.7мм |
| Производитель | Vishay |
| Тип корпуса | MiniMELF |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Ширина | 1.6мм |
| Высота | 1.6мм |
| Максимальное обратное напряжение | 250V |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1V |
| Число контактов | 2 |
| Размеры | 3.7 x 1.6 x 1.6мм |
| Максимальный прямой ток | 250 |
| Diode Technology | Кремниевое соединение |
| Вес, г | 0.1 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...