1N3070TR, Диод слабых сигналов, Одиночный, 200 В, 500 мА, 1 В, 50 нс, 4 А
22 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The 1N3070TR is a high conductance fast Small Signal Diode for general usage and suitable for many different applications.
• Colour band denotes cathode
• -65 to 200°C Storage temperature range
• 175°C Operating junction temperature
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Слабых Сигналов
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Стиль Корпуса Диода | DO-204AH |
Средний Прямой Ток | 500мА |
Максимальное Прямое Напряжение | 1В |
Максимальное Значение Напряжения Vrrm | 200В |
Конфигурация Диода | Одиночный |
Максимальное Время Обратного Восстановления | 50нс |
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm | 4А |
Линейка Продукции | 1N3070 Series |
Diode Configuration | Одинарный |
Максимальная рабочая температура | +175 C |
Количество элементов на ИС | 1 |
Производитель | ON Semiconductor |
Тип корпуса | DO-35 |
Максимальный непрерывный прямой ток | 500mA |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Диаметр | 1.91мм |
Высота | 4.56мм |
Maximum Forward Voltage Drop | 1V |
Число контактов | 2 |
Размеры | 1.91 (Dia.) x 4.56мм |
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки | 4A |
Пиковый обратный ток | 100мкА |
Тип диода | Кремниевое соединение |
Пиковое обратное повторяющееся напряжение | 200V |
Пиковое время обратного восстановления | 50нс |
Diode Technology | Кремниевое соединение |
Вес, г | 2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...