1N3070TR, Диод слабых сигналов, Одиночный, 200 В, 500 мА, 1 В, 50 нс, 4 А
22 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The 1N3070TR is a high conductance fast Small Signal Diode for general usage and suitable for many different applications.
• Colour band denotes cathode
• -65 to 200°C Storage temperature range
• 175°C Operating junction temperature
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Слабых Сигналов
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Диода | DO-204AH |
| Средний Прямой Ток | 500мА |
| Максимальное Прямое Напряжение | 1В |
| Максимальное Значение Напряжения Vrrm | 200В |
| Конфигурация Диода | Одиночный |
| Максимальное Время Обратного Восстановления | 50нс |
| Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm | 4А |
| Линейка Продукции | 1N3070 Series |
| Diode Configuration | Одинарный |
| Максимальная рабочая температура | +175 C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип корпуса | DO-35 |
| Максимальный непрерывный прямой ток | 500mA |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Диаметр | 1.91мм |
| Высота | 4.56мм |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1V |
| Число контактов | 2 |
| Размеры | 1.91 (Dia.) x 4.56мм |
| Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки | 4A |
| Пиковый обратный ток | 100мкА |
| Тип диода | Кремниевое соединение |
| Пиковое обратное повторяющееся напряжение | 200V |
| Пиковое время обратного восстановления | 50нс |
| Diode Technology | Кремниевое соединение |
| Вес, г | 2 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...