1N3070TR, Диод слабых сигналов, Одиночный, 200 В, 500 мА, 1 В, 50 нс, 4 А

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
1N3070TR, Диод слабых сигналов, Одиночный, 200 В, 500 мА, 1 В, 50 нс, 4 А

1N3070TR, Диод слабых сигналов, Одиночный, 200 В, 500 мА, 1 В, 50 нс, 4 А

картинка 1N3070TR, Диод слабых сигналов, Одиночный, 200 В, 500 мА, 1 В, 50 нс, 4 А
22 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The 1N3070TR is a high conductance fast Small Signal Diode for general usage and suitable for many different applications.

• Colour band denotes cathode
• -65 to 200°C Storage temperature range
• 175°C Operating junction temperature

Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Слабых Сигналов



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура175 C
Количество Выводов2вывод(-ов)
Стиль Корпуса ДиодаDO-204AH
Средний Прямой Ток500мА
Максимальное Прямое Напряжение
Максимальное Значение Напряжения Vrrm200В
Конфигурация ДиодаОдиночный
Максимальное Время Обратного Восстановления50нс
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm
Линейка Продукции1N3070 Series
Diode ConfigurationОдинарный
Максимальная рабочая температура+175 C
Количество элементов на ИС1
ПроизводительON Semiconductor
Тип корпусаDO-35
Максимальный непрерывный прямой ток500mA
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Диаметр1.91мм
Высота4.56мм
Maximum Forward Voltage Drop1V
Число контактов2
Размеры1.91 (Dia.) x 4.56мм
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки4A
Пиковый обратный ток100мкА
Тип диодаКремниевое соединение
Пиковое обратное повторяющееся напряжение200V
Пиковое время обратного восстановления50нс
Diode TechnologyКремниевое соединение
Вес, г2
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...