BAS19LT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 120 В, 200 мА, 1.25 В, 50 нс, 625 мА

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BAS19LT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 120 В, 200 мА, 1.25 В, 50 нс, 625 мА

BAS19LT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 120 В, 200 мА, 1.25 В, 50 нс, 625 мА

картинка BAS19LT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 120 В, 200 мА, 1.25 В, 50 нс, 625 мА
12 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The BAS19LT1G is a small signal Switching Diode designed for high voltage and high speed switching applications. This dual diode device contains two electrically isolated high voltage switching diodes encapsulated in a SOT-23 surface mount package.

• 120VDC Continuous reverse voltage
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
• Pb-free, halogen free/BFR free

Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Слабых Сигналов



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Стиль Корпуса Диодаsot-23
Средний Прямой Ток200ма
Максимальное Прямое Напряжение1.25В
Максимальное Значение Напряжения Vrrm120В
Конфигурация ДиодаОдиночный
Максимальное Время Обратного Восстановления50нс
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm625мА
Линейка ПродукцииBAS19 Series
Вес, г0.018
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...