BAS21AHT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 250 В, 200 мА, 1.25 В, 50 нс, 625 мА

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
BAS21AHT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 250 В, 200 мА, 1.25 В, 50 нс, 625 мА

BAS21AHT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 250 В, 200 мА, 1.25 В, 50 нс, 625 мА

картинка BAS21AHT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 250 В, 200 мА, 1.25 В, 50 нс, 625 мА
18 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The BAS21AHT1G is a low leakage Switching Diode designed in SOD-323 package. This device with better performance for the reverse leakage current (IR) specification.

• 250VDC Continuous reverse voltage
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
• Pb-free, halogen free/BFR free

Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Слабых Сигналов



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов2вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Стиль Корпуса ДиодаSOD-323
Средний Прямой Ток200ма
Максимальное Прямое Напряжение1.25В
Максимальное Значение Напряжения Vrrm250в
Конфигурация ДиодаОдиночный
Максимальное Время Обратного Восстановления50нс
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm625мА
Линейка ПродукцииBAS21 Series
Diode ConfigurationОдинарный
Максимальная рабочая температура+150 C
Количество элементов на ИС1
Длина1.8мм
ПроизводительON Semiconductor
Тип корпусаSOD-323
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 C
Ширина1.35мм
Высота1мм
Число контактов2
Размеры1.8 x 1.35 x 1мм
Вес, г0.045
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...