ISL9R860P2, Быстрый / ультрабыстрый диод, 600 В, 8 А, Одиночный, 2.4 В, 30 нс, 100 А

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
ISL9R860P2, Быстрый / ультрабыстрый диод, 600 В, 8 А, Одиночный, 2.4 В, 30 нс, 100 А

ISL9R860P2, Быстрый / ультрабыстрый диод, 600 В, 8 А, Одиночный, 2.4 В, 30 нс, 100 А

картинка ISL9R860P2, Быстрый / ультрабыстрый диод, 600 В, 8 А, Одиночный, 2.4 В, 30 нс, 100 А
110 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание

The ISL9R860P2 is a STEALTH™ Diode optimized for low loss performance in high frequency hard switched applications. The STEALTH™ family exhibits low reverse recovery current (IRR) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is intended for use as a free-wheeling or boost diode in power supplies and other power switching applications. The low IRR and short ta phase reduce loss in switching transistors. The soft recovery minimizes ringing, expanding the range of conditions under which the diode may be operated without the use of additional snubber circuitry. Consider using the STEALTH™ diode with an SMPS IGBT to provide the most efficient and highest power density design.

• Avalanche energy rated
• High reliability
• 28ns at IF = 8A Stealth recovery (trr)

Полупроводники - Дискретные\Диоды\Выпрямители с Быстрым и Ультра Быстрым Восстановлением



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура175 C
Количество Выводов2 Вывода
Стиль Корпуса Диодаto-220ac
Средний Прямой Ток
Максимальное Прямое Напряжение2.4В
Максимальное Значение Напряжения Vrrm600в
Конфигурация ДиодаОдиночный
Максимальное Время Обратного Восстановления30нс
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm100А
Линейка ПродукцииISL9R Series
Diode ConfigurationSingle
Number of Elements per Chip1
BrandON Semiconductor
Вес, г1.814
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...