ISL9R18120S3ST, Быстрый / ультрабыстрый диод, 1.2 кВ, 18 А, Одиночный, 3.3 В, 70 нс, 200 А
- Производитель
- ON Semiconductor
The ISL9R18120S3ST is a STEALTH™ Standard Power Diode optimized for low-loss performance in high-frequency hard switched applications. The STEALTH™ family exhibits low reverse recovery current (Irr) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is intended for use as a freewheeling or boost diode in power supplies and other power switching applications. The low Irr and short ta phase reduce loss in switching transistors. The soft recovery minimizes ringing, expanding the range of conditions under which the diode may be operated without the use of additional snubber circuitry. Consider using the STEALTH™ diode with an SMPS IGBT to provide the most efficient and highest power density design.
• 300ns at IF=18A Stealth recovery
• High reliability
• Avalanche energy rated
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Выпрямители с Быстрым и Ультра Быстрым Восстановлением
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Количество Выводов | 2 Вывода |
Стиль Корпуса Диода | TO-263AB |
Средний Прямой Ток | 18А |
Максимальное Прямое Напряжение | 3.3В |
Максимальное Значение Напряжения Vrrm | 1.2кВ |
Конфигурация Диода | Одиночный |
Максимальное Время Обратного Восстановления | 70нс |
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm | 200А |
Линейка Продукции | ISL9R Series |
Diode Configuration | Одинарный |
Максимальная рабочая температура | +175 C |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.67мм |
Производитель | ON Semiconductor |
Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
Максимальный непрерывный прямой ток | 18A |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Ширина | 9.65мм |
Высота | 4.83мм |
Maximum Forward Voltage Drop | 3.3V |
Число контактов | 3 |
Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки | 200A |
Пиковый обратный ток | 1mA |
Тип диода | Кремниевое соединение |
Пиковое обратное повторяющееся напряжение | 1200V |
Пиковое время обратного восстановления | 400нс |
Diode Technology | Кремниевое соединение |
Вес, г | 1.312 |
- Полное описание
- Комментарии