MUR1100EG, Быстрый / ультрабыстрый диод, 1 кВ, 1 А, Одиночный, 1.75 В, 75 нс, 35 А
46 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
The MUR1100EG is a SWITCHMODE™ Power Rectifier with moulded epoxy case. This state-of-the-art device is design for use in switching power supplies, inverters and as free-wheeling diodes.
• All external surfaces corrosion-resistant and terminal leads are readily solderable
• Cathode indicated by polarity band
• Excellent protection against voltage transients in switching inductive load circuits
• Ultrafast 75ns recovery time
• Low forward voltage
• Low leakage current
• High temperature glass-passivated junction
• 10mj Avalanche energy guaranteed
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Выпрямители с Быстрым и Ультра Быстрым Восстановлением
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Стиль Корпуса Диода | Осевые Выводы |
| Средний Прямой Ток | 1а |
| Максимальное Прямое Напряжение | 1.75В |
| Максимальное Значение Напряжения Vrrm | 1кВ |
| Конфигурация Диода | Одиночный |
| Максимальное Время Обратного Восстановления | 75нс |
| Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm | 35А |
| Линейка Продукции | MUR11 Series |
| Diode Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Brand | ON Semiconductor |
| Package Type | DO-41 |
| Maximum Continuous Forward Current | 1A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Diameter | 2.7mm |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1.75V |
| Pin Count | 2 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 35A |
| Diode Type | Silicon Junction |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1000V |
| Peak Reverse Recovery Time | 100ns |
| Diode Technology | Silicon Junction |
| Вес, г | 1.361 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...