BAT54J.115, Диод Шоттки 30В 0.2А [SOD-323]
4 руб.
- Производитель
- NXP Semiconductor
Полное описание
The BAT54J, 115 is a planar single Schottky Barrier Diode with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a very small SOD323F (SC-90) flat-lead surface-mounted device (SMD) plastic package. It is used for voltage clamping, line termination and reverse polarity protection.
• Low forward voltage
• Low capacitance
• Flat leads, excellent coplanarity and improved thermal behaviour
• AEC-Q101 qualified
Технические параметры
Материал | кремний |
Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 30 |
Максимальное импульсное обратное напряжение, В | 30 |
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.2 |
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 0.6 |
Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 2 |
Максимальное прямое напряжение,В | 0.32 |
при Iпр.,А | 0.001 |
Общая емкость Сд,пФ | 10 |
Рабочая температура,С | -65…150 |
Способ монтажа | smd |
Корпус | sod323 |
Вес, г | 0.05 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...