SBAS16LT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 200 мА, 1.25 В, 6 нс, 500 мА

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
SBAS16LT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 200 мА, 1.25 В, 6 нс, 500 мА

SBAS16LT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 200 мА, 1.25 В, 6 нс, 500 мА

картинка SBAS16LT1G, Диод слабых сигналов, Одиночный, 100 В, 200 мА, 1.25 В, 6 нс, 500 мА
34 руб.
Производитель
ON Semiconductor
Заказать
Полное описание
Small Signal Switching Diodes, ON Semiconductor

Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Слабых Сигналов



Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура150 C
Количество Выводов3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Стиль Корпуса Диодаsot-23
Средний Прямой Ток200ма
Максимальное Прямое Напряжение1.25В
Максимальное Значение Напряжения Vrrm100В
Конфигурация ДиодаОдиночный
Максимальное Время Обратного Восстановления6нс
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm500мА
Diode ConfigurationОдинарный
Максимальная рабочая температура+150 C
Количество элементов на ИС1
Длина3.04мм
ПроизводительON Semiconductor
Тип корпусаSOT-23
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 C
Ширина4.5мм
Максимальная емкость диода2пФ
Высота1.01мм
Максимальное обратное напряжение100V
Maximum Forward Voltage Drop1.25V
Число контактов3
Размеры3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальный прямой ток200mA
Вес, г0.04
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...