MOC8204M, Оптопара, 1 канал, DIP, 6 вывод(-ов), 80 мА, 4.17 кВ, 20 %
110 руб.
- Производитель
- ON Semiconductor
Полное описание
MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
• High Voltage - BVceo = 400V
Оптоэлектроника и Дисплеи\Оптопары\Оптопары с Транзисторным Выходом
Технические параметры
| Количество каналов | 1 канал |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 400В |
| Напряжение Изоляции | 4.17кВ |
| Стиль Корпуса Оптопары | dip |
| Максимальный Прямой Ток | 80мА |
| Мин. CTR | 20% |
| Линейка Продукции | 4N38M, H11D1M, H11D3M, MOC8204M |
| Количество каналов | 1 |
| Максимальный ток на входе | 80 мА |
| Максимальный коэффициент передачи по току | 20% |
| Типичное время нарастания | 5мкс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип корпуса | DIP |
| Напряжение изоляции | 7500 V ac |
| Количество контактов | 6 |
| Тип входного тока | Пост. ток |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Максимальное прямое напряжение | 1.5V |
| Типичное время затухания | 5мкс |
| Выходное устройство | Фототранзистор |
| Вес, г | 0.4 |
- Полное описание
- Комментарии
Загрузка комментариев...