Фоторезист предназначен для реализации фотолитографических процессов с последующим гальваническим осаждением металлов в производстве интегральных схем, печатных микроплат, электроформованных сит, и в других областях, где используются методы прецизионной фотолитографии и гальванопластики. Фоторезист изготовлен на основе сополимеров метакрилового ряда.

Формирование пленки на подложке осуществляется центрифугированием или погружением в раствор. Высокое качество сформированного в фоторезисте рельефа достигается в результате проведения сушки и фотополимеризации облученных участков.

Для обеспечения фотополимеризации пленка фоторезиста перед экспонированием покрывается защитным слоем, предохраняющим от доступа кислорода. Допускается нанесение защитного слоя методом погружения в раствор или поливом.

Особенностью фоторезиста является вертикальный профиль проявления при любых толщинах слоев. Выпускается фоторезист, обеспечивающий получение пленок толщиной от 5 мкм до 400 мкм.

Технические данные фоторезиста
Внешний вид    вязкая прозрачная жидкость розового или синего цвета
Кинематическая вязкость, мм г/c    
Типичная толщина пленки, мкм    НФВЩ-5-10
НФВЩ-25-27
НФВЩ-40-45
НФВЩ-70-75
НФВЩ-350-400
Проявитель    2% раствор натрия углекислого
Условия сушки фоторезиста    60 - 80С, 20 - 30 мин.
Условия сушки защитного слоя    20 - 30С, до полного высыхания.
Спектральная чувствительность, нм    330 - 410
Разрешающая способность фоторезиста толщиной
5 - 10 мкм
25 - 27 мкм    

15 - 20 мкм
35 - 40 мкм
Термостойкость проявленного рельефа (отсутствие искажения размеров элементов)    до 170 - 180С