Предназначен для защиты интегральных схем, диодных матриц и других типов полупроводниковых приборов.

Компаунд отличается высокой коррозионной стойкостью после воздействия спецфакторов.

Компаунд поставляется в виде двух компонентов: основы и отвердителя.

Производится в соответствии с ТУ  ЫУО.028.055.

Технические характеристики

КЭН-3

Диапазон рабочих температур, С

от -80 до +200

Условная вязкость основы по вискозиметру ВЗ-246 (диаметр сопла 6 мм), с, не менее

480

Жизнеспособность при температуре (2510) С, мин., не менее

1440

Режим отверждения, С/ч

60-80/3

Удельное объемное электрическое сопротивление при температуре (2510)С, Ом∙см, не менее

1∙1014

Тангенс угла диэлектрических потерь на частоте 106 Гц при температуре (2510) С, не более

8∙10-3



Электрическая прочность при температуре (2510) С, кВ/мм, не менее

27

Гарантийный срок хранения, мес.

3

Технология применения:

Основа компаунда и отвердитель тщательно смешиваются перед употреблением в соотношении 100:6 масс. ч. в течение 5-10 мин.
В замкнутой системе жизнеспособность готового компаунда сохраняется в течение 5 - 10 сут.
Наносится на поверхность различными методами: окунанием, поливом, с помощью шприца.
Отверждается под действием влаги воздуха.
Толщина отверждаемой пленки - 1÷2 мм.