M93C76-WMN6TP, Энергонезависимая память, 8 Кбит(1Кx8 or 512x16), 2МГц [SO-8]

Производство и продажа электронных компонентов

+7 (495) 984-68-02
info@russleader.ru
Работаем в обычном режиме с 10-18, Пн-Пт. Отгружаем только юридическим лицам
M93C76-WMN6TP, Энергонезависимая память, 8 Кбит(1Кx8 or 512x16), 2МГц [SO-8]

M93C76-WMN6TP, Энергонезависимая память, 8 Кбит(1Кx8 or 512x16), 2МГц [SO-8]

картинка M93C76-WMN6TP, Энергонезависимая память, 8 Кбит(1Кx8 or 512x16), 2МГц [SO-8]
27 руб.
Производитель
ST Microelectronics
Заказать
Полное описание
Энергонезависимая память - [SOIC-8-3.9], Тип: EEPROM, Интерфейс: Microwire, Объём: 8 кбит, Организация: 1Kx8 or 512x16, Скорость: 2MHz, Напряжение: 2.5...5.5 В
Корпус SO-8, Тип памяти EEPROM, Подтип памяти EEPROM, Интерфейс Microwire, Объём памяти 8 кбит, Напряжение питания, min 2.5 В, Напряжение питания, max 5.5 В

Технические параметры

Серияm93c
Тип памятиeeprom
Объем памяти8 kбит(1k x 8, 512x16)
Максимальная тактовая частота (скорость)2 мгц
Интерфейсmicrowire, 3-wire serial
Напряжение питания, В2.5…5.5
Рабочая температура, C-40…+85
Корпусsoic-8(3.9мм)
Вес, г0.15
  • Полное описание
  • Комментарии
Загрузка комментариев...