Монолитная интегральная схему усилителя средней мощности на основе арсенид-галлиевой (GaAs) технологии изготовления псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMT), которая работает в диапазоне частот от 6ГГц до 18ГГц. Идеально подходит для применения в приложениях радиосвязи точка-точка (Point-to-Point), точка-мультиточка (Point-to-Multi-Point), VSAT и в качестве усилительного блока или драйвера для HMC SMT смесителей.

Технические параметры

Применение	Общего Назначения
Диапазон частот, ГГц	6…18
Амплитудные искажения 1дБ, дБм	20
Амплитудно-частотная характеристика, дБ	14
Коэффициент шума, дБ	4.5
Напряжение питания, В	5
Ток потребления, мА	115
Корпус	csmt-12(3x3)exposed pad
Вес, г	0.22